【好彩最高邀请码】带宽不再是瓶颈 HMC内存技术解析

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效率不再是瓶颈 HMC内存技术解析

  • 2013-10-16 12:17:22
  • 类型:原创
  • 来源:电脑报
  • 报纸编辑:王宇
  • 作者:

【电脑报在线】要提升内存性能,传统的做法是通过提升频率、增加通道来实现,但内存效率时常成为瓶颈。与此同去,智能手机和平板电脑的快速发展也对内存模块的能耗与体积有更高的要求,哪几个设备都需用内指在容量更大的同去体积更小之后更节能。之后,内存技术到了需进一步革新的之后了,为此,美光、三星开发出了有有一个全新架构的HMC内存。

效率比DDR3提升为宜 12倍

传输每比特数据的能耗比DDR3要低70%

  要提升内存性能,传统的做法是通过提升频率、增加通道来实现,但内存效率时常成为瓶颈。与此同去,智能手机和平板电脑的快速发展也对内存模块的能耗与体积有更高的要求,哪几个设备都需用内指在容量更大的同去体积更小之后更节能。之后,内存技术到了需进一步革新的之后了,为此,美光、三星开发出了有有一个全新架构的HMC内存。

3D堆叠风吹到内存领域

  在芯片制造领域,3D堆叠技术正在大行其道,从英特尔的3D三栅极晶体管,到三星3D垂直堆叠型形态学 NAND闪存芯片(3D V-NAND),如今内存领域也出现了类似于 的多层堆叠产品——HMC(Hybrid Memory Cube)内存。

  HMC内存的基本理念是通过特殊的半导体工艺,把多个DRAM芯片层层堆叠在同去。内存的内内外部就像建高楼一样,由一层层DRAM晶圆芯片(每有有一个DRAM晶圆芯片嘴笨 不需要 看成有有一个这么进行封装的内存芯片)堆叠起来,最终组成有有一个大容量的内存“芯片”。之后,HMC也被称“混合存储立方体”。值得一提的是,都有而是采用DRAM晶圆芯片,是可能性堆叠工艺要求较高,可能性以芯片对芯片的堆叠最好的办法将耗费极大时间与成本,之后HMC采用晶圆对晶圆的堆叠法这一 更便捷和节约成本的最好的办法。

  当然,芯片内内外部的DRAM并全部都有简单的堆叠起来,这里面中含着从高层向低层穿孔以连接电极的蚀刻技术,以及将哪几个DRAM晶圆芯片垂直围绕在各层板面上的门极形态学 技术等一系列独特并有突破性的工艺技术。

HMC内存的内内外部形态学

本文出自2013-10-14出版的《电脑报》2013年第40期 E.硬件DIY (网站编辑:pcw2013)

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